FDZ299P:超小型BGA封装低压P-MOSFET

关键词：电源

时间：2003-05-30 16:43:00 来源：中电网

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5月28日讯，Fairchild 半导体公司推出新型P-MOSFET FDZ299P，它是超小型1.5x1.5mm BGA封装。目标应用在手机，PDA，手提音乐播放器，GPS接收器和数码相机的电源管理。

典型的MOSFET是标准封装，同样尺寸的耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上的电流，而FDZ299P的耗散功率有1.7W。

新器件的占位品质因素（FFOM）为80mWx2.25mm2=180，而标准的TSSOP-6的FFOM为80mWx9.0mm2=720，改善了75%。FDZ228P由于能提供有稳态最大电流4.6A的低损耗开关，能降低系统的寄生漏电。

FDZ229P的封装高度最高为0.8mm，使该器件能装配成RF屏蔽，内部子系统和显示器。该器件的导通电阻RDS(on)极低，VGS=-4.5V时为55毫欧姆，VGS=-2.5V为80毫欧姆，栅极电荷低，VGS =4.5V, Qg=9nC。
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