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”| 7月7日讯，东芝美国电子公司(TAEC)宣布增加低功耗SDRAM和新的更宽配置的NAND闪存，作为多片式封装(MCP)产品的选择。东芝将会开发2到6个芯片的MCP，有NOR闪存，NAND闪存，SRAM，假SRAM(PSRAM)和低功耗SDRAM各种组合，以满足数码照相手机和丰富多彩特性的3G手机的复杂的存储器要求。 更宽的x16 NAND单芯片闪存的总线宽度加倍，和x8 NAND闪存相比，降低了数据传输所需要的时间近50%。为了满足OEM客户的要求，东芝提供低功耗SDRAM作为多种存储器MCP器件的一种选择。 这些手机对存储器的要求变得越来越复杂，因为在手机中增加了附加的特性和应用功能，如互联网浏览，文字信息，游戏和数字照相机功能。从容量，速度和功耗的折衷考虑，使手机中可以组合几种不同类型的存储器，而空间的限制又使设计者回来采用把复杂的存储器子系统封装在单一封装的MCP器件。 例如，手机设计者通常采用NOR闪存来存储代码，而低功耗SRAM或快速成本效率的PSRAM用作工作存储器。为了适应增加的应用功能和数据存储对存储器的要求，NAND闪存正在变得受欢迎，因为它的每位成本低，而新的低功耗SDRAM正在成为有丰富多彩特性的工作存储器的新解决方案，3G手机执行存储在NAND闪存的代码。低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高，和NAND闪存组合，给手机存储器子系统提供了成本效率的高性能解决方案。东芝公司能提供二，三或四种存储器容量上的半定制组合，以满足下一代有丰富多彩功能手机的要求。 下面是各种存储器的主要性能： NOR：32Mb 到128Mb; 1.65V 道3.3V;存取时间65ns 或70ns； PSRAM：32Mb, 64Mb 或128Mb; 2.6V 到3.3V; 存取时间65ns 或75ns； LP SRAM：4Mb 到16Mb, 1.65V 到3.6V; 存取时间40, 55, 70ns； NAND：128Mb 和256Mb; 2.6 到3.6V; 存取时间50ns，x8 或x16 配置； 低功耗SDRAM：128Mb 和256Mb, 1.8V, x16 配置。 详情请上网：www.toshiba.com/taec/ |
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