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时间：2003-10-14 13:55:00 来源：中电网
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”MT28F644W18:很高速度1.8V 64Mb闪存 |
| 10月6日讯,Micron科技公司推出新型的64Mb高性能闪存MT28F644W18,主要用在移动设备中.这种1.8V核闪存器件支持1.8V输入/输出电压,是目前市场上最快的高密度闪存. 这种1.8V闪存工作在随机存取速度60ns和81MHz突发频率,使用户能大大地增加存储器子系统的吞吐量.这种高性能低电压闪存和高密度低功耗CelluarRAM产品组合,使2.5G手机和3G入门手机能得到最高吞吐量的存储器子系统. Micron的新的闪存结构有特别增强的性能如灵活的4Mb多分割结构,时钟延缓和快速编程算法,以满足新出现的移动平台的性能要求.这种多分割结构,允许有更多的分区,支持不同应用的代码分割,改善了效率.Micron的闪存数据管理(MFDM)软件管理运作,在这种多组结构中有最佳的性能.时钟延缓性能允许突发次序延缓,以便修复同一总线上的另一个器件上的数据,而同时允许突发次序在以后的时间重新开始, 当电压等于12V(Vpp=12V),快速的程序算法能形成快速数据流编程(3.1us/字).当系统电压为1.8V(Vpp=1.8V),同样快速数据流编程使编程和汇编更容易. 64Mb器件的结构为4MX16,封装为FBGA.下图为产品外形图.详情请上网:www.micron.com |
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