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K9W8G08U1M:8Gb NAND闪存

关键词：闪存

时间：2004-01-07 11:32:00 来源：中电网

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2003年十二月16日讯,Samsung公司推出业界首个8Gb NAND闪存器件K9W8G08U1M.它的结构为1Gbx8,工作电压2.7-3.6V.数据页的数据读取速度为50ns/字节.片内的写控制器能自动所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,内部确认和数据富余度.这种高密度器件能使存储子系统的高水平功能满足快速产品如数码相机,USB闪存驱动器,PDA和MP3播放器对存储器的快速增长的要求.NAND闪存特别适合用在高密度更低成本的数据存储解决方案如移动设备中.

8Gb NAND闪存采用两片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆栈在标准的48引脚TSOP封装(12x20mm).它的主要性能如下:

工作电压2.7-3.6V,

存储器单元阵列,(512Mb+16,384Kb)x8位,

数据寄存器,(2K+64)X8位,

缓存寄存器,(2K+64)X8位,

自动编程和擦除:页编程为(2K+64)字节,区块擦除为(128K+4K)字节,

页读操作:页的大小为2K字节,随机读时间最大为25us,串行存取,最小为50ns,

快速写入周期,编程时间为300us,区块擦除时间为2ms,

指令/地址/数据复接I/O端口,

硬件数据保护,在电源变化时编程/擦除锁住,

用于高性能编程的缓存编程操作,

加电时自动读操作,

采用可靠的CMOS浮置栅技术,

00K编程/擦除次数,数据保存10年,

用于复制保护的独特ID,

现在可提供工程样4.批量生产在2004年第一季度.下图为产品外形图.详情请上网:www.samsung.com

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