FGL60N100BNTD:1000V无穿通IGBT

关键词：MOSFET IGBT

时间：2004-05-13 15:58:00 来源：中电网

“

”

4月29日讯,Fairchild半导体公司推出新的1000V/60A IGBT FGL60N100BNTD,具有优异的开关和导通以及在感应加热(IH)应用中的强健雪崩特性.这些感应加热包括感应加热(IH)稻米罐,感应炊具以及微波炉等.新的FGL60N100BNTD把Fairchild所有权的Trench技术和不穿通(NPT)技术组合起来,能得到所期望的雪崩免疫性.器件的雪崩免疫性保护IGBT在关断状态免受雪崩所引起的现场损坏,从而增加了IH应用的可靠性.在IH应用时, FGL60N100BNTD的开关速度经过优化,上升时间典型为130ns,饱和压降低,在Ic=60A时Vcesat=2.5V,从而限制了导通损耗. FGL60N100BNTD中的内置快恢复二极管简化了电路设计,降低了元件数量.

FGL60N100BNTD是无铅的TO-264封装,它满足或超过IPC/JEDEC标准J-STD-020B,并和在2005年开始实行的欧盟标准兼容.1K量的单价为$4.08.

下图为产品外形图.详情请上网:www.fairchildsemi.com

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱： editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] BCM5665/74/75/95:新型StrataXGSII产品

[下一篇：] 755/45/35:新型Pentium M移动处理器