MT45W8MW16BGX-706WT:128Mb PSRAM

关键词：存储器

时间：2004-08-09 15:33:00 来源：中电网

“

”

7月26日讯,Micron公司推出首个128Mb 突发CellularRAM器件MT45W8MW16BGX-706WT,它是当今市场上可用的一个128Mb突发模式假静态RAM(PSRAM).它采用Micron的革命性6F2 阵列结构技术生产的另一种存储器结构.

Micron的128Mb突发CellularRAM器件目标应用在移动手持设备,能增加其性能.用来生产这种器件的单元结构最小化待机和工作电流,比同类的PSRAM技术有更低的功耗,更高的带宽.其它的特性包括能以4/8/16/32字或连续突发进行READ和WRITE,增加了和闪存突发协议的兼容性,突发时钟速率104/80/66MHz,可变的等待功能最小化延迟,最大化带宽.此外,由共同开发成员所制定的CellularRAM指标定义了键合格式,使的多芯片封装(MCP)制造商能利用多个供应商的芯片而不需要重新设计衬底.

它的主要性能为:核电压1.7-1.95V,I/O电压1.7-1.95V,读/写模式有同步/页/突发几种,封装为54引脚VFBGA封装,存取时间70ns,工作温度-30度到85度C.

详情请上网:www.micron.com

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱： editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] FAN7310:全桥LCD背景光驱动器

[下一篇：] VMB5000:3G+多功能桥芯片