STE50DE100:1000V混合双极-MOS晶体管

关键词：电源 MOSFET

时间：2004-12-14 14:59:00 来源：中电网

“ST公司推出混合发射极开关双极晶体管(ESBT)STE50DE100,它把双极晶体管和MOSFET的优点组合在一起,设计用在焊接设备,包括加热系统和音频放大器的功率因素修正.

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12月10日讯,ST公司推出混合发射极开关双极晶体管(ESBT)STE50DE100,它把双极晶体管和MOSFET的优点组合在一起,设计用在焊接设备,包括加热系统和音频放大器的功率因素修正.该器件降低了在加热,焊接和功率因素修正等方面应用损耗.

STE50D100能经受高集电极-源极电压1000V和高达50A的集电极电流.四端器件安装在精心设计的螺钉安装的TSOTOP封装.

它的设计组合了双极晶体管和MOSFET的强项而消除了它们的缺点.到现在用在功率开关应用的功率双极技术的频率地于70KHz.它的集电极-发射极饱和电压低,使它具有低的导通损耗.它的缺点包括开关速度低,驱动电路需要大电流以及和电路精细调整有关的问题.

相反,MOSFET技术广泛应用在高频功率开关.MOSFET的主要优点是开关速度高和驱动电路需要非常低的电流.它的缺点包括相对于双极技术较高的成本和在导通时较大的功耗.

把这两种技术的优点组合,消除它们的缺点,STE50DE100把导通损耗降低到双极晶体管的同样水平,而在高达150KHz的高速开关时有MOSFET同样的良好性能.此外,由于共发共基放大器的配置和专用的双极技术,器件提供方形反向偏压的安全工作区,使它能工作在苛刻的开关拓扑.坚固耐用的ISOTOP是器件能在25度C时经受非常高的总功耗160W.最大的工作温度为150度C,绝缘电压是2500V AC-RMS.1K量的单价为$20.0.

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