MT29F2G08A/16A:2Gb 90nm NAND闪存

关键词：存储器

时间：2004-12-23 14:28:00 来源：中电网

“Micron公司推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和 MT29F2G16A,并以此来表明他进入NAND市场的策略.

”

12月20日讯,Micron公司推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和 MT29F2G16A,并以此来表明他进入NAND市场的策略.移动和海量存储应用越来越增加的存储器的需求使得NAND闪存成为最快增长的器件之一.

目标应用在闪存卡,USB器件,海量存储设备和移动应用,NAND闪存补充了Micron存储器系列和CMOS图像传感器解决方案.

Micron的2Gb NAND闪存采用90nm技术制造,用许多主要的NAND控制器来校验,和采用这时候控制器的现有的2Gb NAND闪存兼容.为了帮助产品设计,Micron的网站提供软件参考代码和仿真模型.

MT29F2G08A 和MT29F2G16A NAND闪存器件采用8位或16位总线来传输数据,地址和指令信息.五个指令引脚(CLE, ALE, CE#, RE#, and WE#)实现NAND指令总线接口协议.还提供其它的控制引脚如硬件写入保护(WP#)和器件状态监视(R/B#).

MT29F2GxxA器件包括2048个可擦除的区块,每个区块分成64可编程页.每页包括有2,112 字节(x8)或1,056字(x16).页进一步分成2048字节数据存储区,x8器件有单独的64字节区,x16器件有单独的1024字区和32字区.64字节区和32字区用来误差管理.每个2112字节页的内容可在200us内编程,而132K字节/64K字区能在2ms内擦除.片内的控制逻辑能进行自动的PROGRAM和ERASE操作,以最大化保存次数, ERASE/PROGRAM的保存次数在100K次.

器件的其它性能还有:随机读时间为25us,顺序读的时间为50ns;页编程的时间为300us,区块擦除典型时间为2ms.工作电压2.7-3.6V,工作温度有0-70度C和-40度到85度C两种.48引脚TSSOP封装.

详情请上网:www.micron.com

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