中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 

Samsung推出首个512Mb GDDR3存储器

关键词:存储器

时间:2004-12-31 14:58:00      来源:中电网

Samsung推出业界首个512Mb GDDR3存储器样品,它是用于图像卡以及电子游戏控制台的最先进双数据速率同步DRAM.

12月13日讯,Samsung推出业界首个512Mb GDDR3存储器样品,它是用于图像卡以及电子游戏控制台的最先进双数据速率同步DRAM.

新的GDDR3的容量至少是当今市场上的图像存储器的两倍,使得在游戏中有更丰富的特性.

采用新的512Mb GDDR3存储器,将会明显改善性能,降低功耗和更有效地利用图像卡的空间.

Samsung的512Mb GDDR3存储器是首个JEDEC标准的GDDR3,工作高达1.6Gbps,比市场上任何的图像存储器都要快.

现在可提供样品.批量生产将在2005年初.下图为产品外形图.
详情请上网: http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:双频共振:IMU全局姿态与振动传感如何共塑人形机器人的生命力
  • 时 间:2025.07.24
  • 公 司:ADI

  • 主 题:小电阻大奥秘--分流电阻器使用方法之实践篇
  • 时 间:2025.07.29
  • 公 司:ROHM

  • 主 题:恩智浦半导体下一代毫米波雷达解决方案全介绍(单芯片/卫星雷达/成像雷达)
  • 时 间:2025.07.31
  • 公 司:NXP