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IRF6665:D类音频DirectFET MOSFET

时间：2005-01-10 15:09:00 来源：中电网

“IR公司推出用于中功率D类音频放大器的DirectFET MOSFET IR6665,器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率,总失真(THD)和功率密度.

”

2004年十二月8日讯,IR公司推出用于中功率D类音频放大器的DirectFET MOSFET IR6665,器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率,总失真(THD)和功率密度.D类放大器的应用范围从以电池为能源的手提产品到高端专业放大器,音乐仪器以及汽车和家庭多媒体系统.

除了应用调整,IR的DirectFET封装技术由于降低引线电感也增强D类放大器电路的性能,这种电感的降低提升了开关性能,并降低了EMI噪音.热效率能使向8欧姆负载提供100W功率可以不用散热器.省略了散热器,缩小了电路的尺寸和体积,给设计者提供了更大的布局灵活性,降低放大器成本.

决定D类音频放大器性能的关键MOSFET参数包括器件的导通电阻或RDS(on)和栅极电荷或Qg,它们决定了D类音频放大器的效率.

下表为器件的主要性能表:

型号	封装	BVDSS(V)	RDS(on)典型值@10V(mOhm)	ID @ Tc=25oC(A)	QG 典型(nC)	QSW 典型(nC)
IRF6665	DirectFET	100	51	19	8	3.5

现在可提供IRF6665.10K量的单价为$0.52.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

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