“安森美半导体(On Semiconductor)公司推出八款新型N沟道和P沟道,低压Trench MOSFET NTA4151PT1, NTE4151PT1, NTZS3151PT1, NTZD3152PT1(用于达850mA高端负载开关的P沟道MOSFET.
”| 1月27日讯,安森美半导体(On Semiconductor)公司推出八款新型N沟道和P沟道,低压Trench MOSFET NTA4151PT1, NTE4151PT1, NTZS3151PT1, NTZD3152PT1(用于达850mA高端负载开关的P沟道MOSFET.提供单模式和双模式.), NTA4153NT1, NTE4153NT1, NTZD3154NT1(用于高达915mA低端负载开关的N沟道MOSFET.提供单模式和双模式)和NTZD3155CT1(互补N沟道和P沟道的组合,用于集成负载开关或小电流直流至直流转换),进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列.这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)）,整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%. 新器件为小信号20伏MOSFET,采用薄型微小1.6mm×1.6mm封装,RDS(on)比其它同类封装的解决方案降低60%,特别适用于-430mA至-950mA的应用，如功率负载开关,电源转换器电路以及手机,数码相机,PDA,寻呼机,媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等.这些新型的低压MOSFET采用安森美半导体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。RDS(on)比目前同类封装的MOSFET降低60%,可导通更大电流. 安森美半导体的沟道MOSFET有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（高度0.6mm至1.0mm）封装选择,节约了宝贵的板空间.因为MOSFET极易受到静电放电（ESD）的损害,且封装越小,受ESD损害的可能性越大.安森美半导体将齐纳二极管集成至TrenchMOSFET,提供优异的ESD保护.总之,这些封装性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间. 每种新器件有三种封装:0.6mm 6引脚SOT-563,0.8mm 3引脚SC-89和1.0mm 3引脚SC-75.10K量的单价在$0.10和$0.12间.下图为产品外形图.详情请上网:www.onsemi.com |
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