IRF6619/33:降压DC/DC转换器用MOSFET

关键词：电源 MOSFET

时间：2005-06-23 15:12:00 来源：中电网

“IR公司推出新型DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组IRF6619和IRF6633.这两种新的器件很适合用在高端台式计算机和服务器以及高档通信和数据通信系统的下一代Intel和AMD处理器的高频大电流DC/DC转换器.

”

6月21日讯,IR公司推出新型DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组IRF6619和IRF6633.这两种新的器件很适合用在高端台式计算机和服务器以及高档通信和数据通信系统的下一代Intel和AMD处理器的高频大电流DC/DC转换器.例如,130A5相转换器中,IRF6619和IRF6633能在小型尺寸中提供高达85%的效率.

新的IRF6619和IRF6633能替代处理器电源系统中每相四个标准D-Pak MOSFET,降低元件数一半,每相的MOSFET板面积缩小50%多,使工作站和服务器的尺寸更小.

IRF6619是理想的同步MOSFET,10VGS时的导通电阻低到1.65毫欧姆,4.5VGS时为2.2毫欧姆,它的反向恢复电荷为22nC. IRF6619封装在MX中等箱式DirectFET封装内,占用面积和SO-8一样,高度0.7mm.

IRF6633是最适合用作控制FET的,有非常低的仅为4nC的栅极电荷和密勒电荷,和其它的20V N沟器件相比,导通电阻和栅极电荷乘积要低43%多. IRF6633的性能图为38毫欧姆-nC.IRF6633的封装是MP中等箱式DirectFET封装,占用板面积和SO-8一样,高度0.7mm.

下表是主要参数表:

型号	封装	功能	BVDSS (V)	10V最大RDS (on) (毫欧姆)	4.5V限度RDS(on) (最大) (毫欧姆)	VGS (V)	ID @ Tc=25oC(A)	QG typ(nC)	QGD typ(nC)
IRF 6619	DirectFET MX	同步 FET	20	1.65	2.2	20	150	38	13.2
IRF 6633	DirectFET MP	控制 FET	20	5.6	9.4	20	59	11	4

现在可提供批量的IRF6619和IRF6633.10K量的单价, IRF6619为$1.05,IRF6633为$0.82.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

型号	封装	功能	BVDSS (V)	10V最大RDS (on) (毫欧姆)	4.5V限度RDS(on) (最大) (毫欧姆)	VGS (V)	ID @ Tc=25oC(A)	QG typ(nC)	QGD typ(nC)

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