MRF6S9130H/S:1GHz蜂窝基础架构器件

关键词：手机 LDMOSFET

时间：2005-06-23 15:12:00 来源：中电网

“飞思卡尔半导体公司推出第六代LDMOS RF技术改造1GHz蜂窝基础架构产品系列MRF6S9045N,MRF6S9060N,MRF6S010N,MRF6s9130H/S,MRF6S9125N/B, MRF6S9220H以及MRF6S9160H/S.

”

6月13日讯,飞思卡尔半导体公司推出第六代LDMOS RF技术改造1GHz蜂窝基础架构产品系列MRF6S9045N,MRF6S9060N,MRF6S010N,MRF6s9130H/S,MRF6S9125N/B,
MRF6S9220H以及MRF6S9160H/S.该产品系列采用经济高效的高功率塑料设备和较高功率的高线性金属－陶瓷设备,而且全部采用飞思卡尔第六代高压（HV6）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术.

飞思卡尔先进的HV6技术能够实现出色的电气性能和比前几代LDMOS更高的长期可靠性。由于LDMOS芯片的显著改进，基于HV6的RF设备的工作效率比前几代飞思卡尔设备提高15%，功率密度提高多达50%。效率的提高有助于降低总系统功耗，从而帮助蜂窝基站运营商降低运营成本.

HV6技术的增益也比部分前几代飞思卡尔产品提高了2 dB。此外，HV6设备在额定功率和在功率回退情况下具有出色的线性功能。HV6增强的RF产品功率从10W到220W，适用于800MHz到1GHz频率范围的GSM、GSM EDGE和CDMA蜂窝基础架构应用。多种功率的产品意味着飞思卡尔RF设备实际上能够适合所有无线基础架构应用。例如，低功率器件可以用作更高功率RF晶体管的驱动。更高增益产品的推出意味着需要更少的设备以达致功率放大器制造商所要求的最佳的功率水平.

增强的1GHz RF产品系列包括从10W至125W采用经济高效的塑料封装的器件.这些塑料器件包括MW6S010N/G,MRF6S9045N/B,MRF6S9060N/B和MRF6S9125N/B.每种塑料器件都采用无光锡电镀铜凸缘材料来实现出色的散热性能.125W的MRF6S9125N/B是功率最高的塑料封装商用RF功率放大器.

飞思卡尔已经推出面向1GHz蜂窝基础架构应用的新一代高功率金属－陶瓷封装器件.这些器件的功率范围在130 W到220 W之间.每种器件都采用飞思卡尔先进的低热阻封装技术,与采用铜钨凸缘的设备相比,这种技术使用的铜板凸缘材料能够使热阻降低15－20%.增强的1GHz系列中的金属－陶瓷器件包括MRF6S9130H/S,MRF6S9160H/S和MRF6P9220H.

MRF6S9045N,MRF6S9060N,MRF6S010N和MRF6s9130H/S现已批量生产.MRF6S9125N/B,MRF6S9220H和MRF6S9160H/S现在提供样品,计划在2005年第3季度开始批量生产.

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