“7月13日讯,Elpida公司推出小形状系数的512Mb移动RAM器件ECK5416CBC1, ECK5132CBCN, ECK5432CBC1, ECL5416CBC1,和ECL5432CBC1,用在高性能3G蜂窝手机.
”7月13日讯,Elpida公司推出小形状系数的512Mb移动RAM器件ECK5416CBC1, ECK5132CBCN, ECK5432CBC1, ECL5416CBC1,和ECL5432CBC1,用在高性能3G蜂窝手机.公司说,采用90nm工艺技术导致了小型方形芯片,最适合用来实现需要11x11mm元件或更小的多片封装(MCP)和封装内系统(SiP)设计. 512Mb移动RAM器件有几种型号ECK5416CBC1, ECK5132CBCN, ECK5432CBC1, ECL5416CBC1和ECL5432CBC1,结构分别为16M字x32位或32M字x16位.可以提供SDR或DDR架构,取决于应用性能的要求.512Mb移动RAM器件现在可提供样品.批量生产计划在2005年第三季度.今年后期,将会推出采用90nm生产线的128Mb和256Mb移动RAM器件. 下图为产品外形图.详情请上网:www.elpida.com |
7月13日讯,Elpida公司推出小形状系数的512Mb移动RAM器件ECK5416CBC1, ECK5132CBCN, ECK5432CBC1, ECL5416CBC1,和ECL5432CBC1,用在高性能3G蜂窝手机.公司说,采用90nm工艺技术导致了小型方形芯片,最适合用来实现需要11x11mm元件或更小的多片封装(MCP)和封装内系统(SiP)设计. 512Mb移动RAM器件有几种型号ECK5416CBC1, ECK5132CBCN, ECK5432CBC1, ECL5416CBC1和ECL5432CBC1,结构分别为16M字x32位或32M字x16位.可以提供SDR或DDR架构,取决于应用性能的要求.512Mb移动RAM器件现在可提供样品.批量生产计划在2005年第三季度.今年后期,将会推出采用90nm生产线的128Mb和256Mb移动RAM器件. 下图为产品外形图.详情请上网:www.elpida.com |
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