“90nm降低存储器芯片成本和功耗, NAND128是3V器件, 256Mb和512Mb有3V和1.8V电压.
”NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND |
8月29日讯,ST公司推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件NAND128W3A2BN6E.缩小到90nm降低了存储器芯片的成本和功耗,这些闪存广泛应用在成本效益的消费类电子产品如数码相机,音频录音机,PDA,机顶盒(STB),打印机和各种闪存卡.NAND128是目前市场上采用90nm工艺技术的唯一128Mb闪存. NAND128W3A2BN6E是3V器件,TSOP封装,主要用在消费类电子产品.其它的系列产品256Mb和512Mb有3V和1.8V两种信号,也将在未来几个月内从120nm转到采用90nm工艺技术.  NAND128有超快的数据吞吐量和擦除功能.所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接,降低了引脚数量,允许使用标准组件的NAND接口,使制造商能生产各种高低容量的产品而不用改变占位面积.ST所提供的软件工具链使得产品能快速开发,扩展存储器芯片的使用时间.工具包括误差修正码(ECC)软件,用来识别和替代区块的坏区块管理(BBM))在擦除或编程操作时通过复制它的数据到正确区块),通过在所有区块分配擦除和程序操作的耐用水平算法以优化器件的使用年限,文件系统OS参考软件以及硬件仿真模型. 存储器有1024个名义上16KB区块,每个能分成512B的页,每页有16个多出的字节(B),它能由页来读和编程.多出的字节用用作误差修正码(ECC),软件标识或坏区块识别.复制后程序模式使得存储在一页的数据能直接编程到另外一页而不需要外部的缓冲,这种特性典型用来转移数据,如果页编程由于有缺陷区块而操作失败时.还提供区块指令,区块擦除时间2ms.每个区块有10万次编程和擦除,以及10年数据保存期. 器件有'Chip Enable Don't Care'特性,简化了微控制器接口以及简化NAND闪存和其它类型存储器如NOR闪存和SRAM一起使用并更有效率.独特的器件ID在工厂编程,用户可编程序列号码增加了目标应用时的安全性. 现在简化并更有效率已批量生产.它是无铅TSOP48封装,单价在$4.0到$4.5.工作温度从-40度到85度C. 下图为产品外形图.详情请上网:www.st.com |
NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND |
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