ST512MbNOR闪存+PSRAM/LPSDRAM子系统

关键词：NOR闪存 PSRAM LPSDRAM 手机

时间：2005-11-30 16:48:00 来源：中电网

“新的单片256Mb和512Mb NOR闪存+64Mb/128Mb PSRAM/LPSDRAM存储器子系统用于3G手机,有更快的代码执行和更好的性价比.

”

11月29日讯,ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统.这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb 和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器(PSRAM)或低功耗同步动态随机存取存储器(LPSDRAM).采用ST的现代90nm工艺技术制造,新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比.

存储器子系统是多片封装(MCP),有一系列的组合,包括:

512Mb闪存+64Mb PSRAM(M36P0R9060);
512Mb闪存+128Mb PSRAM(M36P0R9070);
512Mb闪存+128Mb LPSDRAM(M39P0R9070).

高达1Gb闪存三重堆栈型和基于新的256Mb NOR闪存的多片封装将会扩展了这种产品.

为了提高性能,ST新的NOR闪存读取的速度高达133MHz,比目前市场上的产品要快2x.此外,程序吞吐量高达0.5MBps,比目前的NOR闪存解决方案优胜三倍.这种优异的读取速度将是市场中最快的芯片组,使得高档蜂窝平台有快速的代码执行.另外,0.5Mbps的写入速度有极低的功耗,支持手机中的高分辨率照相机.

ST的新闪存把90nm工厂艺和已验证过的先进存储器技术如多级单元(MLC)闪存和多组架构组合在一起,非常适合3G多媒体手机所要求的大容量,小尺寸,降低功耗和灵活性等性能.

在封装上,不同类型的存储器集成在单一小型恩格斯装节省了板面积,提高了可靠性.此外,能够把大量的存储器封装在非常小的体积内,对于即将到来的3G应用,处理多媒体内容和快速的互联网连接是基本的要求.
所有这些采用两种系列产品的组合采用BGA封装,包括有8x11mm(ZAC) LFBGA107封装的NOR闪存+PSRAM器件,9x11mm(ZAD) xFBGA105封装的NOR闪存+LPSDRAM.量大时的单价, M36P0R9060为$12.0, M36P0R9070为$14.0,以及M39P0R9070为$13.0.

详情请上网:www.st.com

ST 512Mb NOR闪存+PSRAM/LPSDRAM子系统

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