IR 100V用于PoE的集成MOSFET IRF4000

关键词：PoE MOSFET

时间：2006-01-12 16:23:00 来源：中电网

“集成四个HEXFET® MOSFET,每个提供15W,可替代四个单独SOT-223封装的MOSFET,降低占位面积多达80%,适合以太网供电(PoE)应用.

”

2005年12月20日讯,IR公司推出100V额定电压的集成了四个HEXFET? MOSFET的器件IRF4000,适合以太网供电(PoE)应用.新器件和用于网络与通信基础设备系统如以太网交换,路由器和集线器的IEEE 802.3af标准兼容,每个端口提供15W,可以替代四个单独SOT-223封装的MOSFET,降低占位面积多达80%.

IEEE 802.3af标准列出了从供电设备(PSE)通过LAN电缆向网络系统中的受电设备(PD)提供电源的规范.MOSFET像热插拔FET那样工作,以控制方式从PSE向PD传输电源,它必须在要求最严格的工作条件下工作在线性区域,因此,需要特别强的安全工作区域(SOA).

IRF4000中所采用的低跨导硅技术和热阻1度C/W的封装组合在一起,能有效地除去所产生的热量,从而工作在线性区域,在最坏的IEEE 802.3af工作条件下有完全的电特性和热特性.和单个的SOT-223 MOSFET相比,新器件的安全工作区域要高56%,从而改善了系统可靠性和热富余度.

除了48端口系统,IRF40900非常适合96端口或采用12端口的更小的PoE"插座式"模块,在这种情况,四个端口由单个IRF4000器件来提供.新器件取得了工业潮湿敏感水平(MSL)3的资格证书.

除了IEEE 802.3af标准,IRF4000还和即将推出的用于大功率负载的PoE+架构兼容.

下表是IRF4000的主要性能:

现在可提供IRF4000.10K量的单价为$2.0.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

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