“这两款新型产品简化了单相及多相直流到直流设计流程,并且提供比分立解决方案高3%的效率.
”1月23日讯, Vishay Intertechnology,公司宣布推出两款新型高速转换器解决方案SiC714CD10 和SiC711CD10.这两款器件将控制MOSFET、同步 MOSFET 及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF 10x10mm 封装中。这两款新型产品简化了单相及多相直流到直流设计流程，并且提供了比分立解决方案高3%的效率。 它们主要面向服务器、路由器、负载点 (POL) 转换器以及 3.3V、5V 及 12V中间总线架构环境，这两款新型器件不仅节省了板面空间及能耗，而且在较小的占位面积上实现了更高的额定功率。MOSFET 与驱动器的整合有助于将可在开关节点产生振铃及峰值的寄生漏感降至最低。该 SiC714CD10 和SiC711CD10可与任何 PWM IC或ASIC配合使用，以生产出高效的降压转换器。低端 MOSFET 控制引脚可实现预先偏压的启动，从而防止来自预充电输出电容的不良吸收电流导致故障，在 POL 及服务器应用中尤为如此。 额定输入电压介于 3.3V～16V 的新型 SiC714CD10可在非流动空气中提供 27A 的连续输出电流，并且专为实现10%的占空比而进行了优化。其低端MOSFET典型地导通电阻值为3mΩ，高端MOSFET 为10.2mΩ。 Vishay SiC711CD10的额定输入电压介于 3.3V～16V，占空比为 40%，该器件可提供高达 25A 的持续输出电流。其高端与低端 MOSFET 的导通电阻值均典型为 4mΩ。 这两款器件均对12V逻辑电平转换进行了优化，并且额定开关频率范围介于100kHz～ 1MHz。它们的PowerPAK MLF 10x10mm封装具有较低的热阻，而且该封装的简单衬垫几何结构可实现直接的板布局及装配。 先断后接的工作方式提供了抗"穿透性"，并且可将停滞时间缩减至最短。这两款器件还具有欠压锁定及开／关功能。内置自举二极管进一步减少了所需的外部元件数。 目前，具有整合驱动器的这两款新型快速转换MOSFET的样品及批量均可提供，大宗订单的供货周期为12周。 下图为产品外形图.详情请上网:http://www.vishay.com。 |
| 1月23日讯, Vishay Intertechnology,公司宣布推出两款新型高速转换器解决方案SiC714CD10 和SiC711CD10.这两款器件将控制MOSFET、同步 MOSFET 及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF 10x10mm 封装中。这两款新型产品简化了单相及多相直流到直流设计流程，并且提供了比分立解决方案高3%的效率。它们主要面向服务器、路由器、负载点 (POL) 转换器以及 3.3V、5V 及 12V中间总线架构环境，这两款新型器件不仅节省了板面空间及能耗，而且在较小的占位面积上实现了更高的额定功率。MOSFET 与驱动器的整合有助于将可在开关节点产生振铃及峰值的寄生漏感降至最低。 该 SiC714CD10 和SiC711CD10可与任何 PWM IC或ASIC配合使用，以生产出高效的降压转换器。低端 MOSFET 控制引脚可实现预先偏压的启动，从而防止来自预充电输出电容的不良吸收电流导致故障，在 POL 及服务器应用中尤为如此。 额定输入电压介于 3.3V～16V 的新型 SiC714CD10可在非流动空气中提供 27A 的连续输出电流，并且专为实现10%的占空比而进行了优化。其低端MOSFET典型地导通电阻值为3mΩ，高端MOSFET 为10.2mΩ。 Vishay SiC711CD10的额定输入电压介于 3.3V～16V，占空比为 40%，该器件可提供高达 25A 的持续输出电流。其高端与低端 MOSFET 的导通电阻值均典型为 4mΩ。 这两款器件均对12V逻辑电平转换进行了优化，并且额定开关频率范围介于100kHz～ 1MHz。它们的PowerPAK MLF 10x10mm封装具有较低的热阻，而且该封装的简单衬垫几何结构可实现直接的板布局及装配。 先断后接的工作方式提供了抗"穿透性"，并且可将停滞时间缩减至最短。这两款器件还具有欠压锁定及开／关功能。内置自举二极管进一步减少了所需的外部元件数。 目前，具有整合驱动器的这两款新型快速转换MOSFET的样品及批量均可提供，大宗订单的供货周期为12周。 下图为产品外形图.详情请上网:http://www.vishay.com。 |
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