IR节省元件75%的SmartRectifier IC IR1167

关键词：电源

时间：2006-03-10 15:09:00 来源：中电网

“简化和提升大功率反激和谐振半桥转换路中次级同步整流的效率,降低MOSFET的温度10度C,系统效率增加1%。

”

3月9日讯,IR公司推出用于AC/DC电源转换的SmartRectifier™集成电路IR1167,这些电源用在膝上型电脑,密你PC,LCD和PDP电视,游戏系统和其它数字计算和家庭娱乐系统. SmartRectifier™ IC简化和提升了大功率反激和谐振半桥转换路中次级同步整流(SR)的效率, 降低MOSFET的温度10度C,系统效率增加1%,使得设备变得更小和热量更低.

在100W到300W反激电路,传统复杂和体积大的电流变压器控制电路浪费了能量,因为大的反向电流需要通过SR MOSFET来检测极性变化.相反,IR新的SmartRectifier™ IC采用新的技术,用于精密地直接检测SR MOSFET上的电压阈值,使得快速精确的控制,以最小化功率损耗.

IR1167能增加整个系统效率1%,降低MOSFET的温度10度C,同时降低SR员数量75%.IR1167 SmartRectifier™ IC采用IR的有所有权的HVIC技术,使它和所有的MOSFET栅极类型兼容,直接连接到IR的30V-200V SR MOSFET.当和IR的MOSFET具有优化导通电阻和栅极电荷特性如IRF7853,IRFB4110和IRFB4227一起使用,IR1167 SmartRectifier™ IC能进一步提供性能.这些最佳的MOSFET和IR1167一起工作,”作为总`芯片组解决方案”能进一步最大化SR电路的效率和功率密度.

因为新的IC能从初级控制中单独工作,能用在各种变压器的开关模式和容性输出滤波器.和初级边独立工作意味着IR1167能工作在低功耗”突发模式”,待机功耗1W,和加州能源委员会(CEC)80plus™兼容.

SmartRectifier™ 技术能把SR柄MOSFET的功耗减半.这就降低了所需MOSFET的数量或从大的TO-220封装改用小的表面安装的SO-8器件.

IC是SO-8或DIP-8封装,无铅和与RoHS兼容.下表是器件的主要特性:

型号	封装	VCC (V)	VFET (V)	最高开关频率 (kHz)	栅极驱动 +/- (A)	VGATE 箝位 (V)	最大睡眠电流 (uA)
IR1167ASPbF	SO-8	20	<=200	500	+2/-7	10.7	200
IR1167BSPbF	SO-8	20	<=200	500	+2/-7	14.5	200
IR1167APbF	DIP-8	20	<=200	500	+2/-7	10.7	200
IR1167BPbF	DIP-8	20	<=200	500	+2/-7	14.5	200

和 IR1167 Smart Rectifier 一起使用的 MOSFET
型号	VDSS (V)	10V 时最大的 RDS(on) (mOhms)	封装
IRFB4110	100	4.5	TO-220
IRF7853	100	18	SO-8
IRFB4227	200	24	TO-220

现在可提供样品.10K量的单价, IR1167A/BSPbF为$1.08, IR1167A/BPbF为$1.11.下图为产品外形图.详情请上网:www.irf.com

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