IR推出最新小封装200V DirectFET MOSFET

关键词：DirectFET MOSFET

时间：2006-11-30 15:45:00 来源：中电网

“200V DirectFET器件超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷，使其特别适合应用于高效同步整流MOSFET、DC马达驱动器等。

”

IR新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V至75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC转换器、新一代中间总线转换器、DC马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48V变频器的同步整流。在48V通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流AC-DC转换器也可以采用新器件进行同步整流。

200V DirectFET MOSFET的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的SO-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗SO-8器件节省超过50%的空间。

新器件有一个共用MZ占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。

新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货，其基本规格如下：

详情请访问：http://www.irf.com.cn

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