IR推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET

关键词：同步降压式转换器 DirectFET MOSFET 负载点 (POL) 转换器

时间：2008-07-16 16:46:00 来源：中电网

“新25V芯片组结合HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，适用于POL 转换器设计

”

IR推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点 (POL) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。

新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) ，以实现高效率和散热性能，并可实现每相超过25A的工作。

IRF6710S拥有0.3Ω的极低栅极电阻和3.0 nC的超低米勒电荷 (Qgd) ，可以大幅减低开关损耗，使这些器件非常适合作为控制MOSFET使用。
IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，可以显著减少导通损耗，而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗，使这些新器件非常适合大电流同步MOSFET电路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积，能轻易由原有SyncFET器件转向使用新器件。

产品基本规格如下：

详情见：www.irf.com

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