NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品

此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。
对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。

新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中NP50P04（40V耐压、导通阻抗9.6 m欧姆）的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年年底开始，生产规模预计可达50万个/月。

近几年，汽车市场对高性能、高功能化及重视环保问题等的要求日趋强烈，对汽车的各种功能实行电子控制以及用于其中的半导体产品的市场也随之呈现出飞速增长的趋势。功率MOSFET是电子控制单元中使用最多的电子器件之一，它与传统使用的机械式继电器相比，不仅可以避免因接触而产生的损耗，而且还具有应答速度快等多种优势，因此被广泛应用在助力转向系统、电动车窗、安全气囊、ABS等控制系统中。

根据驱动时加在功率MOSFET栅极上的驱动电压的正负将其分为P沟道（负）产品和N沟道（正）产品。P沟道产品主要用于电流为数十安培(A)的车前灯等控制开关、燃料泵的开关; N沟道产品主要用于大电流的电动助力转向系统（EPS：Electric Power Steering）。为了满足用户对P沟道和N沟道功率MOSFET的综合需求，NEC电子在不断丰富N沟道产品的同时，推出了40V耐压的低导通阻抗P沟道产品。

此次推出的8款新产品的共通特征如下：
（1）采用JEDEC标准的小型封装（TO-252）
此次推出的新产品均采用了JEDEC标准的小型封装--TO-252封装，TO-252封装与以往JEDEC标准的TO-263封装相比，封装面积减小了一半，因此更有助于用户实现控制单元的小型化。

（2）符合AEC-Q101 Stress Test品质认证标准
此次推出的新产品均符合AEC（Automotive　Electronics Council）-Q101规定，可保证Tch(max)＝175℃的额定温度。AEC-Q101为1995年JEDEC会议上为实现汽车电子设备用分立半导体品质标准化而设置的应力测试规范。
其中，40V耐压品还具有以下特征：
（3）40V耐压、低导通阻抗
NEC电子此次不仅有效地利用了在N沟道产品中积累的经验，还采用了0.25μm工艺，实现了40V耐压、导通阻抗可达业界最小水平--9.6m欧姆的P沟道产品。除了导通阻抗为9.6m欧姆的产品之外，此次推出的产品中还包括导通阻抗为18m欧姆、30m欧姆、45m欧姆的产品。

60V耐压品还具有以下特征:
（4）与以往的产品相比，低导通阻抗值最大可减至一半（4款产品）
此次推出的产品采用了比以往使用的0.5μm工艺更微细化的0.25μm工艺，实现了16.5m欧姆的低导通阻抗，该导通阻抗约为以往产品的一半。除此之外，此次推出的产品中还包括导通阻抗为30m欧姆、50m欧姆、75m欧姆的产品。

NEC电子此次推出的新产品是汽车用半导体领域中的重要组成部分，今后，NEC电子仍将针对该领域积极的展开研发及销售活动。

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＜附件＞
主要规格
40V耐压品

60V耐压品