Semitel推出超低电容高分子ESD保护元件

关键词：超低电容高分子 ESD保护元件

时间：2007-11-01 15:15:00 来源：中电网

“新型高分子ESD保护元件，其半导体压敏材料隐匿于多层线路板之内，当静电加在外电极上，静电上升到高分子ESD的箝位电压时，会通过内电极之间的缝隙之间的压敏材料放电，从而使后面的IC受到保护。

”

全面线路保护方案供应商Semitel继半导体ESD全面保护方案之后，结合新材料和多层印制线路板技术，推出了超低电容的高分子ESD的专利产品。目前其产品的电容值最低已经能做到0.15pF，完全适合超高速传输的应用场合。

在需要超高速传输信号的场合，如高清晰多媒体接口(HDMI),数字影像接口(DVI),USB2.0接口，手机天线等，其传输速率多在3Gbps以上，当保护器件的电容大于1pF时，其寄生电容会对信号的传输造成非常大的影响。采用传统的半导体工艺制作的半导体ESD保护元件，其电容一般都在几个皮法以上，其产品很难适用于以上场合。想要降低它们的电容必须采用更为先进的技术，这就造成了产品的成本很高，很难被市场所接受。Semitel为了解决上述问题，推出了基于最新技术的高分子ESD元件。

Semitel推出的高分子ESD保护元件，其半导体压敏材料隐匿于多层线路板之内，当静电加在外电极上，静电上升到高分子ESD的箝位电压时，会通过内电极之间的缝隙之间的压敏材料放电，从而使后面的IC受到保护。

下图是Semitel的MLSEP12A-0402(0402表面贴装型)典型的静电保护图，它能将静电波形钳制在一个非常小的范围内，从而大大地减少了后面的器件受到静电冲击的能量，很好地保护了该器件。ESD保护器件对电路的影响主要体现在其电容值对信号的干扰上。采用低电容的高分子ESD对HDMI接口的传输信号几乎没有任何影响，而使用高电容的半导体ESD保护器件对信号的影响非常大。

详情请访问：www.semiteltech.com

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱： editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] HOLTEK推出HT1632内建显示内存的LED驱动IC

[下一篇：] Catalyst推出16位LED驱动器CAT9532