Maxim推出高增益低噪声系数的SiGe BiCMOS LNA

关键词：SiGe BiCMOS LNA MAX2659

时间：2007-11-29 11:00:00 来源：中电网

“MAX2659采用Maxim先进的、低功耗SiGe BiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数

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Maxim针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGe BiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩点和三阶交调点降低至-12dBm和-2dBm。因此，MAX2659 SiGe BiCMOS LNA具有业界最高增益和最低噪声系数，对于各种低成本消费类应用非常理想，包括汽车导航、资产跟踪、蜂窝手持设备、便携式导航设备(PND)、数码相机、膝上型电脑和超级移动个人计算机(UMPC)。

MAX2659可工作在+1.6V至+3.3V单电源下，仅消耗4mA电流。为进一步延长电池寿命，该器件在关断模式下将电源电流降低至1?A。MAX2659采用微型、1.5mm x 1.0mm x 0.75mm、无引线、6引脚DFN封装，规定工作在-40°C至+85°C温度范围。芯片起价为$0.70 (1000片起，美国离岸价)。

详情请访问：http://www.maxim-ic.com.cn。

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