Hittite发布两款无源GaAs MESFET I/Q混频器

关键词：MESFET I/Q 混频器

时间：2007-12-28 16:30:00 来源：中电网

“HMC620LC4是一个可在3～7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LO至RF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。

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Hittite Microwave公司日前发布两款用于频率范围为3～7GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAs MESFET I/Q混频器。
HMC620LC4是一个可在3～7GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LO至RF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡，同时将变频损耗限制在标称值8dB。HMC620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器，可提供33dB的镜像抑制、45dB的LO至RF隔离度以及+23dBm的输入IP3性能。这两款混频器都具有DC～3.5GHz的出色中频带宽，可以用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。

HMC620LC4采用符合RoHS指令的4×4mm表面安装封装，指定的工作温度范围为-40℃～+85℃。HMC620裸片可提供混合MIC和MCM组装方式，指定的工作温度范围为-55℃～+85℃。

详情请访问：www.hittite.com/

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