IR推出正弦和梯形电机控制坚固型单相高压IC

IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驱动器可以10V 至20V的栅极驱动电源电压提供可选的依赖或独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级，适用于最小的驱动器跨导，同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这些器件可为两种通道提供匹配的传播延迟，且具备一个先进输入滤波器，以改善除负电压尖峰 (Vs) 免疫性以外的抗噪性，避免系统在大电流切换和短路情况下的灾难性事件。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示："具有集成自举功能的单相栅极驱动器IRS260xD系列提供了一种灵活的解决方案，适用于梯形调制等各种PWM方案。新器件具备负电压尖峰免疫性等完整保护功能，可应用于紧凑、坚固的电机控制设计。"

IRS2607D高侧和低侧驱动器具有同相输出和输入功能，适用于梯形和正弦电机控制。

IRS2608D和IRS2609D半桥驱动器具有540 ns的内部死区时间。IRS2608D还可提供高侧同相输出及HIN输入，以及低侧异相输出和LIN输入，适用于梯形和正弦电机控制。IRS2609D具有同相高侧输出和IN输入功能，以及关断两个通道的关断输入。

新IC采用了IR先进的高压IC工艺，集成了新一代高压电平转换和端接技术，可提供卓越的电气过应力保护和更高的现场可靠性。IRS260xD具有欠压锁定保护、集成死区时间保护、击穿保护和关断输入功能，并兼容3.3V输入逻辑。

产品基本规格如下：

8引线 SOIC封装产品已经批量供货。新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS) 。

详情见：www.irf.com