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英飞凌发布面向700 MHz频段的射频功率晶体管

关键词:射频功率晶体管 700 MHz频段

时间:2008-06-30 18:27:00      来源:中电网

英飞凌 PTFA070551E/PTFA070551F FET 的典型性能: 在28 V供电电压下, 双音峰值包络输出功率55W时, 增益为18.5 dB、效率为48 %。

英飞凌发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合,包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管(分别为170 W和240 W),在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。

基于英飞凌先进的LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)工艺,这些全新器件拥有内部输入和输出宽带匹配特性和高线性度,从而简化了放大器设计。它们可理想地应用于Doherty放大器,通过结合并行载波和峰级实现更高效率。在移动电话和无线互联网系统设计领域,Doherty放大器正变得日益流行。


器件详情

英飞凌 PTFA070551E/PTFA070551F FET 的典型性能: 在28 V供电电压下, 双音峰值包络输出功率55W时, 增益为18.5 dB、效率为48 %。

对于 PTFA071701GH/PTFA071701HL FET来说,双音峰值包络输出功率170W时,增益为18 dB、效率为40%。

PTFA072401E/ PTFA072401F LDMOS晶体管在30 V供电电压下双音峰值包络输出功率240W时的典型性能: 增益为18.dB、效率为40%。

所有这些产品均采用符合无铅/RoHS 标准的导热增强型空腔塑料封装,带有开槽或无耳法兰,能承受输出端连续波(CW)10:1的电压驻波比(VSWR)。

供货和定价

全新700 MHz射频功率晶体管的样品现已开始供应,批量生产定于2008年第四季度。请联系英飞凌销售代表了解价格信息。

详情见:http://www.infineon.com/press



 
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