富士通微电子推出低功耗256Mbit FCRAM MB81EDS256545

关键词：低功耗256Mbit FCRAM MB81EDS256545 消费类数字电子产品

时间：2008-07-11 15:07:00 来源：中电网

“MB81EDS256545 FCRAM为低功耗，系统封装(SiP)设计的理想产品。

”

富士通微电子推出一款用于消费类数字电子产品的低功耗256Mbit消费类电子产品FCRAM，型号为MB81EDS256545。这款新型FCRAM产品为低功耗，系统封装(SiP)设计的理想产品，自今日起提供样片。该款产品的特性是拥有64bit位宽的I/O口及使用低功耗DDR SDRAM接口，其数据吞吐速度相当于两个拥有16bit位宽I/O口的DDR2 SDRAM，同时能减少最大约1瓦特(1W) (约70%)的功耗，从而降低了消费类数字电子产品的功耗。该款产品是适用于低功耗消费类电子产品(如数字电视和可携式摄像录像机)的理想产品。

近年来电子元件在性能和集成度方面的发展越来越高，推动了消费类数字电子产品发展，伴随而来的是如何解决散热的问题，于是开发了小封装芯片并努力提高消费类电子产品的省电性能。产业发展促进了市场对低功耗元器件的需求。

富士通微电子新型FCRAM特点是，其数据吞吐速度相当于两个拥有16bit位宽I/O口的DDR2 SDRAM器件，而耗电却降低70%，约1W。FCRAM的强大省电能力降低了消费类电子产品的功耗，同时更好的散热能力不仅能简化产品开发而且能降低元件成本。

富士通微电子预测该存储器可取代传统的RAM，用于要求低功耗的消费类数字电子产品，如数字电视及可携式摄像录像机等，是实现产品价值和成本降低的理想解决方案。
样片价格和提供

销售目标
每月一百万片

产品特点

1. 数据传输时与DDR2 SDRAM相比，功耗最大减少了约为1W
DDR2 SDRAM和其它高速存储器接口要求终端电阻 (5)在运行时保持信号稳定，这样导致消耗更多的电流。这款新产品使用64bit位宽的I/O口在较低的工作频率下运行，不再需要终端电阻。其数据吞吐速度与两个拥有16bit位宽的I/O口的DDR2 SDRAM相当，同时实现功耗减少70%，约1W (见图1)。
2. 两倍于DDR2 SDRAM的高速大规模图像数据处理能力
该产品拥有64bit位宽的I/O口和高达216 MHz的工作频率，每秒的最大数据吞吐量为3.46G字节(3.46 GBps)，是典型DDR2 SDRAM的两倍，适用于处理图像/视频数据和其它需要高带宽的数据，如数字电视等。
3. 专为SiP设计的存储器节省了贴装空间
产品设计把逻辑芯片集成到SiP，从而缩减了电路板上的贴装空间，进而降低元件和板材成本。除为SiP集成提供晶圆外形外，富士通微电子(FML)的新型FCRAM还可用于晶圆级封装(WLP)(6) (见图 2)。

详情见：http://cn.fujitsu.com/fmc

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