Hittite推出SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器

时间：2008-07-23 15:40:00 来源：中电网

“HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高线性增益单元放大器，无需外部匹配电路，从而成为竞争对手的理想替代品

”

Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线应用。

HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高线性增益单元放大器，无需外部匹配电路，从而成为竞争对手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF应用AH-1与AM-1增益单元。

HMC636ST89E高线性增益单元放大器额定为200 MHz到4 GHz，具有13 dB增益，+40 dBm输出IP3，噪声系数低至2.2 dB。HMC639ST89E高线性增益单元放大器额定为200 MHz到4 GHz，具有13 dB增益，+38 dBm输出IP3，噪声系数低至2.3dB。

这些50Ohm可层叠放大器符合RoHS，封装为SOT89，可满足不同的蜂窝/3G, WiMAX/4G和软件定义无线电等应用的IF和RF需求。HMC636ST89E和HMC639ST89E由单+5V电源直接供电，分别仅仅消耗155mA和104mA的电流。

所有SMT产品的样片和评估板可从库存提供。

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