Diodes新型功率MOSFET优化低压操作

时间：2008-10-31 16:09:00 来源：中电网

“新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。

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Diodes扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。

这些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封装，引脚和占位面积与现有器件兼容，性价比具有竞争优势，不仅能减少物料清单，还能在无需额外成本的情况下提升性能。新器件可用于DC/DC转换和一般电源管理功能，有利于LCD电视、笔记本电脑等多种新产品设计。

Diodes的30V逻辑电平功率MOSFET涵盖广泛的通态电阻范围，从SOT23 P沟道、10V VGS的190m?至SO8 N沟道MOSFET的9m。这些器件在逻辑层操作中的通态电阻为4.5V VGS，P通道和N通道器件的起动栅极临界电压分别为-1V和+1V。

20V低阈值MOSFET的通态电阻规定为2.5V VGS和1.8V VGS，典型值从SOT23封装的240m 到SO8封装的9m。P通道和N通道器件的起动栅极临界电压分别为-0.6V和+0.6V。

详情见：www.diodes.com。

Diodes新型功率MOSFET优化低压操作

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