nLIGHT推出基于InP的1400 nm—2000 nm发光二极管

nLIGHT推出新一代基于InP的1400 nm——2000 nm半导体发光二极管，具有更高的功率以及更好的效率。通过直接使用这些波长吸收Ho或Er固体激光，从而开启了大量手术与医学美容应用。

在1.9微米，Pearl光纤耦合模块从单个400微米0.22NA光纤，提供高达20w输出功率，具有>10%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达1.5w额定功率。

在1.4与1.5微米，Pearl模块从单个400微米0.22NA光纤提供高达40w，具有>30%的功率转换效率。单管芯片在膨胀匹配基板产生高达3.5w额定功率。

nLIGHT’s Pearl高亮度模块具有91x 或97x nm，用于吸收基于Er或Yb的光纤激光器。具有非常低的NA光纤输出，适于低损耗，用于锥形光纤合并器或直接材料处理增加的工作距离应用。
nLIGHT’s Pearl产品系列，通过耦合nLIGHT的高亮度nXLT单管持续发展新的更高功率、更高亮度以及额外的波长产品组合，却保持其无可比拟的可靠性与效率，具有用于高效光纤耦合的专利光纤设计。