IR推出全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列

关键词：IR 沟道型HEXFET功率MOSFET

时间：2008-12-19 14:29:00 来源：MOSFET系列

“新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。

”

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。

全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

* 封装限制

新款MOSFET系列已经开始供货。

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