“AS4DDR264M72PBG1容量为4.8Gb，采用16 mm x 23 mm、 208球BGA封装，球间距为1毫米。
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AUSTIN半导体公司近日又为DDR2 iPEM系列产品增添一款新品AS4DDR264M72PBG1。AS4DDR264M72PBG1容量为4.8Gb，采用16 mm x 23 mm、 208球BGA封装，球间距为1毫米。该器件结构为64M x 72，性能高达667 Mb/s，军用工作温度为-55℃到+125℃。其他功能包括差分数据选通(DQS, DQS#）/字节，内部管道式双倍数据速率结构，具有时钟信号用于DQ 和 DQS转换对准的DLL，用于同时运算的八个内部组块，四个或八个可编程突发长度，自动刷新和自刷新模式（I/T 型），片内终端电阻，可编程输出驱动强度，1.8V ±0.1V通用核电源和I/O电源，典型重量为2g。
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