Toshiba公司推出系列高电压π-MOS VII MOSFET

近日，Toshiba America Electronic Components公司推出新一系列高电压π-MOS VII MOSFET。π-MOS VII MOSFET结合了先进的工艺技术与平面处理工艺，对电压和RDS(ON) 额定功率的选择范围更宽。Toshiba公司开发的新产品阵容明确了市场对AC/DC和镇流器应用的需求，通过使用该公司第七代π-MOS工艺技术，实现高度的单元集成和优化的单元设计。π-MOS VII系列产品先推出的13个器件中包含7个500V MOSFET和六个600V MOSFET，目标应用为开关电源，如笔记本电脑和台式电脑、平板显示器的AC适配器以及用于照明的镇流器。π-MOS VII MOSFET系列更多的产品尚在开发计划中，产品系列将扩展为从400V到650V，电气特性的选择范围更宽，这些特性包括漏极电流、RDS(ON) 和栅极电容。

π-MOS VII系列中前7个500V的器件提供的漏极电流范围为5 A 至 15A (最大值)，具有一系列RDS(ON) 、栅电荷和雪崩能量，符合多种应用的需要。TK5A50D5A漏极电流为5A，RDS(ON) 最大值为1.5W；7A TK7A50D RDS(ON) 的最大值为1.22Ω；8A TK8A50D RDS(ON) 的最大值为0.85 W；10A TK10A50D  RDS(ON)的最大值为0.72Ω；12A TK12A50D RDS(ON) 的最大值为0.52 W；13A TK15A50D RDS(ON) 的最大值为0.47Ω；15A TK15A50D RDS(ON) 的最大值为0.3 W。这些器件采用Toshiba TO-220SIS封装，等同于工业标准的TO-220F（隔离型）封装，尺寸为10.0mm x 4.5mm x 17.8mm。

π-MOS VII系列中包括六个600V的器件，其漏极电流为3.5A 至 13A (最大值)。TK4A60DA漏极电流为3.5A，RDS(ON) 最大值为2.2Ω；6A TK6A60D RDS(ON) 的最大值为1.25W；7.5A TK8A60DA RDS(ON) 的最大值为1.0Ω；10A TK10A60D RDS(ON) 的最大值为0.75Ω；11A TK11A60D RDS(ON) 的最大值为0.65Ω；13A TK13A60D RDS(ON) 的最大值为0.43Ω。

价格和供货
新式Toshiba π-MOS VII 高电压MOSFET现已供货。样品量单价$0.75起。