三星推出业界最高密度的DRAM芯片（低功耗4Gb DDR3）

三星电子公司近日宣布在大容量存储器芯片开发上取得重大进展，开发出业界首款使用50纳米制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。

随着越来越多的数据中心正在寻求减少服务器数量的方法，低功耗4Gb DDR3的开发成为降低数据中心成本、提高服务器时间管理效能和增加总体效率的关键。
对于新一代的“绿色”服务器，4Gb DDR3 结合了高密度与低功耗的特性，不仅可以降低电耗，还可以减少与电源和散热设备有关的安装、维护和修理费用。

4Gb DDR3可制成用于服务器的16GB RDIMM双列直插模块,以及用于工作站和台式机的8GB UDIMM，用于笔记本电脑的8GB小型DIMM。通过采用双晶片封装技术，这中新器件可提供高达32GB的容量的存储器模块——比基于以前最高芯片密度（2Gb）存储器的容量高出一倍。

4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗，工作电压为1.35V，比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度为1.6GB/秒。

16GB模块配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模块的低40%，这是因为其具有更高的密度，且仅使用了一半数量的DRAM芯片(32与64之比)。

由于转为采用50纳米级工艺制造高密度DDR3，三星力求维护其在高容量/高效能DRAN产品上的领导地位。