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三星推出业界最高密度的DRAM芯片(低功耗4Gb DDR3)

关键词:三星 高密度 DRAM 4Gb DDR3

时间:2009-02-06 13:29:00      来源:

4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗,工作电压为1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度为1.6GB/秒。

三星电子公司近日宣布在大容量存储器芯片开发上取得重大进展,开发出业界首款使用50纳米制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。

随着越来越多的数据中心正在寻求减少服务器数量的方法,低功耗4Gb DDR3的开发成为降低数据中心成本、提高服务器时间管理效能和增加总体效率的关键。
对于新一代的“绿色”服务器,4Gb DDR3 结合了高密度与低功耗的特性,不仅可以降低电耗,还可以减少与电源和散热设备有关的安装、维护和修理费用。

4Gb DDR3可制成用于服务器的16GB RDIMM双列直插模块,以及用于工作站和台式机的8GB UDIMM,用于笔记本电脑的8GB小型DIMM。通过采用双晶片封装技术,这中新器件可提供高达32GB的容量的存储器模块——比基于以前最高芯片密度(2Gb)存储器的容量高出一倍。

4Gb DDR3 DRAM设计为低功耗,工作电压为1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度为1.6GB/秒。

16GB模块配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模块的低40%,这是因为其具有更高的密度,且仅使用了一半数量的DRAM芯片(32与64之比)。

由于转为采用50纳米级工艺制造高密度DDR3,三星力求维护其在高容量/高效能DRAN产品上的领导地位。


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