NEC推出PowerMOSFET新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ

近日，NEC电子（欧洲）推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的SuperJunction1技术，具有杰出的优值系数（FOM），可最小化开关损耗并提高系统效率。








与UMOS-4沟道技术相比，SuperJunction1技术可减少超过30%的栅电荷和输入电容，同时保持极低的导通电阻RDS(on)。该技术通过在沟道单元的有源P-阱下面增加P型掺杂区域来提高掺杂度，从而降低N型外延层的电阻。这意味着在导通电阻不变的情况下可增加设计规则的宽度，从而降低栅电荷。

目前，新产品采用流行的D2PAK封装将四个元件封装于内，漏源电压为40V和55V，并准备量产。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的栅电荷仅为150 nC，导通电阻RDS(on)分别为1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP系列的其他产品一样，新产品符合AEC-Q101资质，最高通道温度为175℃，纯锡电镀引脚完全符合RoHS要求。

采用SuperJunction1技术的PowerMOSFET产品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ适用于高效率大电流开关应用，包括汽车工程中的EPS（电子动力转向）或ABS，低电压工业驱动技术中的叉车驱动或其他由电池驱动的设备。