SANDISK开发出先进的32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3 bits/单元（3-bits-per-cell） (X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC) NAND 快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。  

32纳米 X3 技术—microSD应用的最佳选择
32nm 32GB X3技术是迄今为止最小的NAND快闪存储芯片，能够适用于指甲大小的microSD 存储卡格式，这种格式广泛应用于移动电话和其他消费电子产品装置中。32nm 32GB X3是世界上密度最高的microSD存储芯片，能够提供两倍于43nm microSD 芯片的容量，同时模片区仍保持不变。32纳米处理技术以及电路设计中的进步为113mm2规格存储芯片做出了巨大贡献；同时，SanDisk的专利All-Bit-Line （ABL）架构在提高X3读写性能方面起到了重要推动作用。

基于SanDisk核心技术
32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。

SanDisk和东芝公司今天在2009国际固态电路大会（ISSCC）上共同发布了32nm 32GB X3 NAND快闪存储器的文章，介绍了使32纳米成为可能的技术革新。预计32nm 32Gb X3在2009年下半年开始投入生产。