TOSHIBA 3位/单元32nm和4位/单元43nm NAND闪存技术突破性进展

近日，Toshiba公司宣布在NAND闪存的“多位/单元”技术领域取得突破性进展，将使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。在32纳米技术时代，Toshiba已经以业界最小晶片尺寸实现了3位/单元的32 Gb芯片，体积小于目前市场常见的采用43nm技术的2位/单元16Gb芯片。这款前沿的芯片将于2009下半年开始量产。该公司还采用43nm处理工艺组装了业界首款64Gb芯片，可用于4位/单元技术。

近日，Toshiba与其技术伙伴SanDisk在加利福尼亚洛杉矶的国际晶体管电路讨论会（ISSCC）上联合发布了这些重要的技术进步。

NAND闪存制造商必须要面对市场对高存储密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已经通过应用其创新技术做出了积极的响应。

3位/单元32nm技术时代的器件为其行地址解码器和扩展的列结构采用最优化的电路设计，做到了尺寸仅为113mm2 的芯片，是该技术时代下已达到的最小晶片尺寸。4位/单元适用用于超多位编程技术，可实现64Gb存储容量、7.8MB/s的写入速度而不会增加芯片尺寸。