NVE推出巨磁阻电流传感器AAV003-10E

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时间：2009-03-16 14:54:00 来源：AAV003-10E

“巨磁阻（GMR）电流传感器AAV003-10E，可将低滞后GMR桥式传感器元件与片上电流带相结合。

”

近日，NVE公司推出巨磁阻（GMR）电流传感器AAV003-10E，将低滞后GMR桥式传感器元件与片上电流带相结合。桥式输出电压为双极，并与通过带的电流成比例，电流范围较宽为-80 mA至+80 mA。典型灵敏度为1mV/mA，电源为12A，无放大，这比霍尔效应传感器高很多。最大带电阻为0.35欧姆，输出独立于分流电阻。AAV003-10E采用6引脚、2.5毫米x 2.5毫米的TDFN封装，每1K量单价为 $1.66。

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