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ADRF660x/670x:高集成度RF IC

关键词:ADI 4G蜂窝基站 射频电路 ADRF660x

时间:2009-11-11 14:35:00      来源:ADRF660x

新型高集成度RF混频器和调制器可实现高密度射频卡,提升LTE和4G基站的容量和速度。

ADI推出设计用于LTE和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RF IC(射频集成电路)系列。为解决射频卡的高密度集成问题,ADI公司推出的新型ADRF660x系列混频器与ADRF670x系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件,并能满足更高容量基站所需要的严苛性能,实现了这些高密度射频卡。通过这种前所未有的集成度,基站制造商可以将电路板空间显著缩小60%,并大幅降低材料清单成本。

新型ADRF660x和ADRF670x系列均提供四款引脚兼容的器件,覆盖常用的蜂窝2G、3G和LTE频段,并通过集成可实现支持所有蜂窝频段和空中接口标准的公共外形尺寸PCB设计,可简化系统设计。

四款ADRF670x产品将高动态范围模拟I/Q调制器、RF输出开关和PLL(锁相环)与集成式VCO(压控振荡器)集成在一个紧凑型RF IC中。其调制器输入带宽为500 MHz,能支持规定的频段或复杂的IF上变频发送信号通道。此外,调制器输出支持用于宽带多载波LTE应用的线性高输出功率水平。

四款ADRF660x产品将高线性度有源RF混频器、用于单端50 Ω输入的RF输入巴伦以及PLL合成器与集成式VCO整合到一个紧凑型RF电路中。其有源混频器提供6 dB的电压转换增益,相比同类竞争性无源混频器,可减少对额外的IF放大的需求。差分IF输出支持高达500 MHz的最高IF频率。ADRF660x系列可用于接收器通道下变频和发送通道观测接收器应用。

这八个器件都具备一个公共的SPI控制接口,并且软件兼容。集成式PLL是设计用于支持LTE的100 KHz信道栅的多模小数N分频合成器,可提供业界最低的带内相位噪声。为获得更高的灵活性,所有器件都提供缓冲的本振(LO)输出,并支持使用外部VCO。ADRF660x集成式混频器和ADRF670x集成式调制器现均可提供样片。

详情见:www.analog.com

ADRF6701功能框图



GEC

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