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三星采用先进封装技术实现0.6毫米厚的8芯片封装

关键词:三星 先进封装技术 0.6毫米 8芯片封装

时间:2009-12-03 00:00:00      来源:

新的内存封装设计最初为32千兆字节(GB)密度,厚度仅为传统8堆叠芯片(或芯片)内存封装的一半。

三星电子有限公司在先进的半导体技术解决方案中是世界领先者,近日推出业界最薄的多芯片封装,其中一个高度仅为0.6mm。新的内存封装设计最初为32千兆字节(GB)密度,厚度仅为传统8堆叠芯片(或芯片)内存封装的一半。先进的封装技术为高密度多媒体手机和移动器件提供了40%的更轻薄存储解决方案。

新的超薄封装具有一个明显更薄“裸”芯片,厚度仅为传统芯片的一半。新0.6毫米厚封装,包括8个相同芯片(称为8芯片封装),采用30纳米级,32吉比特(Gb)NAND闪存芯片,每个芯片尺寸仅为15um*,以提供32千兆字节(GB)NAND解决方案。

新开发的超微细化技术克服了传统技术中芯片厚度低于30um时芯片电阻和外部压力的限制。生产力下降是由该厚度引起的,在大批量生产时直接导致成品率下降.


15um厚度是一个重大成就,使得以前多芯片封装的密度翻番。更薄的芯片还极大地减少了芯片重量。

此外,新的封装技术可以适用其它现有MCP,可配置成封装内系统(SiP),或封装包封装(PoPs)。

根据市场研究公司iSuppli,2GB密度和更高存储卡预计在2009年达310百万器单元(占总产量的60%),预计到2012年数量增长到77亿单元(占总产量的89%).

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