SAMSUNG推出采用新的切换模式DDR NAND存储器的高速512GB SSD

时间：2010-07-06 10:11:28 来源：中电网

“Samsung近日推出首个采用高性能切换模式DDR NAND的固态存储驱动器(SSD)

”

Samsung近日推出首个采用高性能切换模式DDR NAND的固态存储驱动器(SSD)。该新512GB SSD为优质价格的笔记本电脑提供具有先进性能和可靠性的电子数据处理应用程序设计。
新512GB SSD采用该公司去年11月开始生产的30纳米级32吉比特芯片。

该转换模式DDR架构连同SATA 3.0Gbps接口产生的最高连续读写速度为250兆字节/秒(MBps)和220MBps的顺序写入速度，二者均提供三倍于典型硬盘驱动器的性能。在这些速度，两个标准长度的DVD电影（每个大约4GB）可在短短一分钟内存储。

Samsung 512GB SSD采用增强的256bit AES（先进加密标准）加密技术，以确保更高安全性，当其主机PC错位或丢失时能保护个人数据免被电脑黑客或出现不受欢迎的访问。

Samsung计划于下月批量生产512GB SSD。新容量把Samsun SSD密度从64GB扩展到512GB。

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