LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND闪存技术的SSD

LSI公司（纽约证交所股票代码：LSI）宣布演示其备受赞誉的SandForce® SF-2000闪存存储处理器（FSP），该产品采用Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 闪存---目前SSD应用中所使用的最先进闪存技术。这些前沿的技术将于本周在台湾台北市举行的2012年台北国际电脑展上进行互动演示。

SSD目标分析师Jim Handy 指出：“SSD用户都希望从领先的闪存技术中获得巨大的成本优势，但大部分SSD控制器都无法管理最先进和成本最低的闪存芯片的复杂性。通过支持最小的NAND工艺，LSI将帮助OEM厂商和终端用户在云计算、企业和客户端等I/O密集型和基本数据存储应用中部署最具成本效益的闪存存储处理器。”

随着闪存存储器的尺寸不断缩小，引入最先进的错误校验功能已成为当务之急。这是因为独立单元已很难维持一定荷质比，这会降低闪存器件的可靠性、数据完整性和数据保留特性。为了优化19nm和20nm闪存存储的可靠性和耐用性，LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字节扇区内可校正多达55位错误，也成为业界首款可同时支持企业和客户端市场的处理器。LSI SandForce产品包括一个独特的纠错引擎，尽管当今和未来先进NAND闪存技术对闪存错误校验功能的要求不断变化和提高，但是该引擎凭借其独特的设计完全可以应对这些挑战。

LSI 闪存组件部副总裁兼总经理Michael Raam 指出：“与6家NAND闪存技术领先制造商开展合作，使我们能够针对不断缩小的芯片尺寸对闪存处理器进行优化。SSD已经具备云计算和财富1000企业中关键任务型计算环境所需的卓越可靠性，使用寿命和功效，并且随着用户越来越认可这些属性，我们期望继续看到SSD技术被广泛采用。” 

为了满足客户对小尺寸闪存器件的可靠性和耐用性要求，LSI SandForce FSP 采用了DuraClass^® 高级NAND闪存管理技术。

DuraClass管理特性包括：

•DuraWrite™：优化闪存的程序周期数量，有效地提高闪存耐用性。

•RAISE™（独立芯片冗余阵列）：驱动器可靠性得到大幅提高，可实现单驱动解决方案、RAID式的保护及恢复功能。

•高级耗损平衡和监视： 最佳耗损平衡算法可进一步增强闪存耐用性。

•反复循环器：智能地执行“垃圾收集”操作，清除无效数据，使闪存耐用性影响最小化。