士兰微电子推出内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器SD6835

相比于士兰微电子前期推出的产品，SD6835内置了极限输出功率补偿电路，可以平衡宽电压范围的极限输出功率；也内置斜坡补偿电路和CS异常过流保护，分别可以适应更宽的变压器应用和改善短路反峰值。

SD6835采用了多项士兰微电子自主研发的专利技术，如交错式频率抖动技术和峰值电流补偿技术等。其中交错式频率抖动技术可以使得芯片振荡频率不断变化，以减小芯片在某个单一频率的对外辐射，并使振荡频率在一个很小的范围内变动，从而可以有效地降低EMI，简化EMI设计。峰值电流补偿技术可以抑制峰值电流的过冲，还可以在电路初始化后有效地减小芯片启动时变压器的应力，实现软启动功能。这些专利技术的应用使得该产品在市场同类产品的竞争中占据优势。

同时，该新品具有较好的性能特性，可以根据输出的负荷情况调节开关频率（25~67KHz）和峰值电流，可以通过轻负载的降频模式和峰值电流控制功能提供更高的效率，也可以通过让芯片在待机模式下进入打嗝模式降低芯片的待机功耗。

此外，SD6835内部集成了各种异常状态保护功能，以保证芯片正常的工作状态。包括欠压锁定，过压保护，过载保护，过温保护和脉冲前沿消隐功能。在芯片发生保护以后，芯片可以不断自动重启，直到系统正常为止。另外，芯片内置CS异常过流保护，当CS超过特定值时开关不输出，低于此值时，下一个周期即可开关解锁。