TriQuint推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块，提供高输出功率、增益及效率，覆盖频率范围为6-38 GHz。 其中每款新放大器的封装都更方便进行组装，包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括：TGA2502-GSG（3.6W [CW]，13-16 GHz，适用于VSAT系统）；TGA2575-TS（3W [CW]，32-38 GHz，适用于通信系统）；TGA2704-SM（7W [CW]，9-11 GHz，适用于微波无线电）以及TGA2710-SM（7W [CW]，9.5-12 GHz，亦适用于微波无线电）。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab产品系列的最新成员，它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。 通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。 这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验，来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格： 新封装砷化镓pHEMT解决方案
TGA2502-GSG
13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：2.8W；20dB大信号增益；25dB小信号增益；效率为25%；在1.3A为7V；14引线法兰贴装封装。
TGA2575-TS
32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：3W；19dB小信号增益；功率附加效率为22%；在2.1A为6V。TGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。
TGA2704-SM
9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：7W；19dB大信号增益；22dB 小信号增益；功率附加效率为40%；在1.05A为9V；7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。
TGA2710-SM
9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：7W；19dB大信号增益；20dB小信号增益；功率附加效率为36%；在1.05A为9V；7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。