中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 
  • 首页 > 新品 > TriQuint推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块

TriQuint推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块

关键词:TriQuint 新封装 砷化镓 GaAs pHEMT 射频功率放大器

时间:2012-12-20 09:38:26      来源:中电网

TriQuint推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。 其中每款新放大器的封装都更方便进行组装,包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括:TGA2502-GSG(3.6W [CW],13-16 GHz,适用于VSAT系统);TGA2575-TS(3W [CW],32-38 GHz,适用于通信系统);TGA2704-SM(7W [CW],9-11 GHz,适用于微波无线电)以及TGA2710-SM(7W [CW],9.5-12 GHz,亦适用于微波无线电)。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab产品系列的最新成员,它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。 通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。 这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验,来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格: 新封装砷化镓pHEMT解决方案
TGA2502-GSG
13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:2.8W;20dB大信号增益;25dB小信号增益;效率为25%;在1.3A为7V;14引线法兰贴装封装。
TGA2575-TS
32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:3W;19dB小信号增益;功率附加效率为22%;在2.1A为6V。TGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。
TGA2704-SM
9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;22dB 小信号增益;功率附加效率为40%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。
TGA2710-SM
9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;20dB小信号增益;功率附加效率为36%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:LTM4702:16VIN、8A 超低噪声 Silent Switcher 3 μModule
  • 时 间:2024.04.11
  • 公 司:ADI&Arrow

  • 主 题:高集成伺服驱动系统与工业机器人方案
  • 时 间:2024.04.18
  • 公 司:ST

  • 主 题:英飞凌XMC4000支持EtherCAT®通讯的伺服/IO控制方案介绍
  • 时 间:2024.04.25
  • 公 司:英飞凌&骏龙科技