IR推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET

时间：2013-10-16 15:07:41 来源：中电网

“IR宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括电动助力转向系统、刹车系统、水泵等。

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IR宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括电动助力转向系统、刹车系统、水泵等。

由于采用COOLiRFET硅技术，40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds(on)）改善了40%，从而可以将传导损耗降到最低。双面冷却的中罐式DirectFET2 功率封装提供卓越的热性能和极低的寄生电感。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRF8736M2将COOLiRFET硅性能和DirectFET2 封装相结合，可在相同的占位面积内将导通电阻改善40%，也可以提供与大罐式器件相同的性能，即可以减少50%的封装面积，为汽车应用提供更小的系统尺寸和成本。”

新器件符合AEC-Q101标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，采用不含铅的环保封装，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格

器件编号	封装	Vds	典型导通电阻	最大导通电阻	I_D	Qg (典型)
AUIRF8736M2	DF2 M Can	40V	1.3mΩ	1.9mΩ	137A	136nC

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