“IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。
”IR扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。
经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装，其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装，可提供大电流密度，有效缩减整体系统尺寸并降低成本，适用于空间受限的大功率工业设计。
全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件，均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试，能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力，并提供多种封装选择，使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”
与DirectFET系列的其它器件一样，全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。
规格
采用表面贴装封装的60V StrongIRFET
|
器件编号 |
BVDSS |
25ºC时的ID |
VGS为10V时的最大导通电阻 |
VGS为10V时的Qg |
封装 |
|
IRF7580M |
60V |
116A |
3.6 |
120 |
中罐式 (ME) DirectFET |
|
IRFS7530-7P |
240A |
1.4 |
256 |
D2-PAK-7 | |
|
IRFS7534-7P |
240A |
1.9 |
200 |
D2-PAK-7 | |
|
IRFS7530 |
195A |
2.0 |
274 |
D2-PAK | |
|
IRFS7534 |
195A |
2.4 |
180 |
D2-PAK | |
|
IRFH7085 |
100A |
3.2 |
110 |
PQFN 5x6 (B) | |
|
IRFR7540 |
110A |
4.8 |
85 |
D-PAK | |
|
IRFS7537 |
195A |
3.3 |
142 |
D2-PAK | |
|
IRFS7540 |
110A |
5.1 |
88 |
D2-PAK | |
|
IRFH7545 |
85A |
5.2 |
73 |
PQFN 5x6 (E) | |
|
IRFR7546 |
71A |
7.9 |
58 |
D-PAK |
采用穿孔式封装的60V StrongIRFET
|
器件编号 |
BVDSS |
25ºC时的ID |
VGS为10V时的最大导通电阻 |
VGS为10V时的Qg |
封装 |
|
IRFB7530 |
60V |
195A |
2.0 |
274 |
TO-220 |
|
IRFP7530 |
2.0 |
274 |
TO-247 | ||
|
IRFB7534 |
2.4 |
186 |
TO220 | ||
|
IRFB7537 |
3.3 |
142 |
TO-220 | ||
|
IRFP7537 |
3.3 |
142 |
TO-247 | ||
|
IRFB7540 |
110A |
5.1 |
88 |
TO-220 | |
|
IRFB7545 |
85A |
5.9 |
75 | ||
|
IRFB7546 |
58A |
7.3 |
58 |
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