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东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

关键词：东芝电压功率MOSFET U－MOSIX－H 金属氧化物半导体场效应晶体管低导通电阻

时间：2014-12-02 16:50:38 来源：中电网

“东京—东芝公司旗下的半导体存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76％的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻

”

东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76％的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻^[1]。此外，它还减少了Qoss^[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

注：

·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。

·[2]Qoss：输出电荷。

主要特性

·业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ（最大值）

·业界顶级的低R_DS_（_ON_）・Qoss：60mΩ・nC

应用

适用于服务器和电信基站的高效开关电源

主要规格

部件名称	封装	V_DSS（V）	R_DS_（_ON_）最大值（mΩ） V_GS=10V时	Ciss 典型值（pF）	Qoss 典型值（nC）
TPHR8504PL	SOP Advance	40	0.85	7370	85.4

欲了解更多关于东芝MOSFET产品，请访问：

http://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html

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