“Cree宣布推出新型XLampXP-L高强度LED，第一个单芯片LED，提供超过10万坎德拉具有50mm直径光纤为10瓦。基于Cree的突破SC5技术平台，在XP-L高强度LED提供了业界此前的最高性能的单裸片XP-L的一倍以上，烛光通过相同的光的LED。
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Cree宣布推出新型XLamp®XP-L高强度LED，第一个单芯片LED，提供超过10万坎德拉具有50mm直径光纤为10瓦。基于Cree的突破SC5技术™平台，在XP-L高强度LED提供了业界此前的最高性能的单裸片XP-L的一倍以上，烛光通过相同的光的LED。充分利用现有3.45毫米×3.45毫米XP-L封装，新的高亮度LED照明让制造商能够迅速提高性能，减小尺寸和降低系统成本的应用，如跟踪，室外和场馆照明。
拥有Cree的创新原发性视神经设计，超过50％的从根本上减少光源的尺寸，将XLamp XP-L高强度LED在1瓦特提供前所未有的烛光每瓦流明185。新的高强度LED提供一个下拉准备升级XP的灯具设计，使制造商能够以最少的重新设计，以实现更高的发光强度，加快产品上市时间。
“在XP-L高强度LED看起来像一些我们即将推出的灯一个很好的选择，”乔恩Quenzer，电气工程师，迷航说。 “在XP-L高强度LED使我们能够提高我们的XP-G2 LED的功效和强度为基础的设计在不改变光学系统或驱动程序。”
“在XP-L高强度LED体现Cree公司的承诺，不断创新在一个小巧的外形既提供流明和力度空前，”戴夫艾默生副总裁兼总经理为Cree LED的说。 “在XP-L高亮度LED将让照明设计师从根本上改变他们想到的是使用高亮度照明LED的方式，使照明设备制造商之前达到的性能水平是不可能的。”
表征和分级在1050毫安，85°C时，XP-L高强度LED是高达90 CRI和色温从2700 K至8300 K。6000小时的LM-80的长期测试数据提供可用于在XP-L高强度LED照明制造商寻求ENERGYSTAR®资格。
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