“Vishay Siliconix公司将展示其低调，高功率密度的AEC-Q101合格的SQ系列坚固的耐用性和可靠性TECHNO-2015边境的MOSFET突出在大范围的套餐，包括新的8毫米8毫米×1.8毫米型PowerPAK8x8L，它提供了一个空间和省电替代DPAKDPAK和器件提供。
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日前，Vishay Intertechnology公司（NYSE股市代号：VSH）宣布，将展出其最新的半导体和无源元件的展台5D-201在动力系统日本，对电力系统的TECHNO-边境到2015年，集中展示20- 22日在幕张国际展览中心在东京举行。一个组件解决方案提供商连接，移动性和可持续性，日前，Vishay将突出行业领先的创新技术 - 包括被动元件，二极管，功率MOSFET，和光电子 - 提供了一个广泛的应用提高效率和可靠性。
为了提供所需的汽车应用，如电机驱动器，电动助力转向，传动控制，和喷油驱动器外，Vishay Siliconix公司将展示其低调，高功率密度的AEC-Q101合格的SQ系列坚固的耐用性和可靠性TECHNO-2015边境的MOSFET突出在大范围的套餐，包括新的8毫米8毫米×1.8毫米型PowerPAK®8x8L，它提供了一个空间和省电替代D²PAKDPAK和器件提供。具有低导通电阻n型和p沟道TrenchFET®技术，坚固耐用的SQ系列的MOSFET的额定为+175°C的最高结温，并提供了坚固的芯片设计。在展会上，日前，Vishay Siliconix公司还将展示其汽车沟槽MOSFET的成熟重复雪崩能力。
对于汽车和太阳能逆变器应用，威世半导体将担纲二极管在各种低调的软件包，包括TMBS®沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有ESD能力，FREDPT®超快超快恢复二极管在SMPD标准整流器（TO -263AC）封装和FRED铂超快恢复二极管在SlimSMA（DO-221AC），SMF（DO-219AB）和SMPC（TO-277A）封装。该公司将展示600 V和高频转换器优化的650 V FRED铂创4超快恢复二极管，以及沟道IGBT设计，以提高效率和IGBT功率模块EMIPAK-1B和EMIPAK-2B包。
威世还将突出光电子产品用于MRI机，便携式电子产品，以及汽车，替代能源，和工业应用。在显示设备将包括AEC-Q101资格接近和环境光传感器，透射传感器和高速硅PIN光电二极管，除了高隔离光耦和宽体飞机和LONGBODY IGBT / MOSFET驱动器。日前，Vishay将进行其手势控制传感器板，它是由VCNL4020接近传感器和两个VSMF2890RGX01红外线发射器的演示。
Vishay的无源元件将包括各种各样的公司的最新电容，电阻和电感的。高亮电阻器将包括VISHAY DALE的Power Metal金光大道®设备具有高温能力达到+ 275°C和低电阻低至0.001Ω，以及高电流电源金属条分流的功率计和电池管理应用。日前，Vishay将提供该公司的MELF电阻和功率金属带智能电池传感器示威。日前，Vishay戴尔还将展示汽车级低姿态，高电流电感器IHLP®，并提供其伊勒-4040DC-5A电感器的演示，集成E-场屏蔽。
在 TECHNO-边境2015特色电容器将包括日前，Vishay BCcomponents 196 HVC ENYCAP™系列混合储能电容与13 WS / 3G产业，高能量密度，日前，Vishay ESTA行频和电力电子电容器，Vishay的ROEDERSTEIN聚丙烯薄膜电容器DC -link应用，Vishay的VJ Vitramon卫队HVArc设备用于汽车应用，以及日前，Vishay斯普拉格MicroTan™固体钽芯片电容器便携式电子产品。电容器演示将包括钽和陶瓷器件到一个模拟的陶瓷电容器中有5千伏击穿测试系统的比较，此外。
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